Sống đẹp
Văn hóa Sự kiện
Tiktok
Nhà khoa học Jiang Jianfeng, 30 tuổi, đã rời Mỹ về Trung Quốc để phát triển công nghệ mới trong lĩnh vực chip bán dẫn.
Đây là một ví dụ trong xu hướng nhân tài hồi hương ở quốc gia này.
Đầu tháng 3/2026, nhà khoa học Jiang Jianfeng, 30 tuổi, rời Viện Công nghệ Masachusetts (Mỹ) để thành lập nhóm nghiên cứu chip thế hệ mới tại Đại học Bắc Kinh, Trung Quốc. Sự “hồi hương” của Jiang thu hút sự chú ý trong lĩnh vực công nghệ bán dẫn vì anh được đánh giá là gương mặt triển vọng trong lĩnh vực chip thế hệ mới.
Theo quy định, sau khi nhận bằng tiến sĩ từ 8 – 10 năm, các nhà khoa học mới có thể hướng dẫn nghiên cứu sinh tiến sĩ. Tuy nhiên, Jiang chỉ mất 18 tháng kể từ khi nhận bằng tiến sĩ vào tháng 6/2024. Trước khi “đầu quân” cho MIT, Jiang theo học đại học, thạc sĩ tại các trường hàng đầu Trung Quốc như Sơn Đông, Bắc Kinh… Anh được trao Huân chương Ngũ Tứ, phần thưởng học thuật cao quý nhất của Đại học Bắc Kinh.
Nghiên cứu nổi bật của Jiang là vật liệu bán dẫn hai chiều selenua indium, hay InSe. Đây được xem là một hướng tiếp cận tiềm năng để vượt qua những giới hạn vật lý của chip silicon truyền thống.
Trong nhiều thập kỷ, ngành công nghiệp bán dẫn đã dựa vào silicon để chế tạo chip, nhưng khi kích thước transistor thu nhỏ xuống mức ba nanomet và thấp hơn, các giới hạn vật lý ngày càng rõ rệt. Điều này khiến việc duy trì tốc độ cải tiến theo định luật Moore trở nên khó khăn hơn.
Theo Jiang, các vật liệu bán dẫn hai chiều như InSe có độ dày chỉ ở mức nguyên tử và thể hiện các hiệu ứng lượng tử đặc biệt. Những đặc điểm này cho phép chúng đạt hiệu suất năng lượng cao hơn và có thể tạo ra các chip nhỏ hơn, nhanh hơn và tiết kiệm điện hơn so với công nghệ hiện tại.
Trong các nghiên cứu của mình, Jiang cho biết thiết bị InSe hai chiều mà nhóm của anh phát triển đã vượt trội hơn công nghệ nút 3 nanomet của Intel ở nhiều chỉ số hiệu năng quan trọng, đồng thời đạt mức hiệu quả năng lượng hàng đầu thế giới.
Ngoài ra, các nghiên cứu trước đó của Jiang cũng thu hút sự chú ý của cộng đồng khoa học quốc tế. Trong các bài báo đăng trên tạp chí Nature năm 2023 và 2025, anh đã chứng minh rằng một thiết bị InSe đơn lẻ có thể đạt hiệu quả năng lượng vượt trội so với silicon truyền thống trong môi trường phòng thí nghiệm. Những kết quả này đã đặt nền tảng cho các nghiên cứu tiếp theo về tích hợp thiết bị ở quy mô lớn.
Sau khi trở về Trung Quốc, Jiang sẽ xây dựng nhóm nghiên cứu mới tại Đại học Bắc Kinh. Nhóm sẽ tập trung vào các thiết bị bán dẫn chiều thấp, các cấu trúc tích hợp ba chiều và kiến trúc mạch tiên tiến. Những lĩnh vực này được xem là nền tảng quan trọng cho các công nghệ như trí tuệ nhân tạo, điện toán hiệu năng cao và xe tự hành.
Jiang cho biết quyết định trở về quê hương không phải là một lựa chọn bộc phát, mà là kết quả của quá trình suy nghĩ lâu dài. Theo anh, để đưa các vật liệu và thiết bị bán dẫn mới từ phòng thí nghiệm đến ứng dụng công nghiệp cần một nhóm nghiên cứu ổn định và chiến lược dài hạn.
Đại học Bắc Kinh, với nhiều thập kỷ kinh nghiệm trong lĩnh vực điện tử chiều thấp, mang lại môi trường phù hợp để anh phát triển hướng nghiên cứu này một cách hệ thống.
Ngoài yếu tố học thuật, Jiang cũng cho rằng, việc đóng góp cho nhu cầu chiến lược của đất nước là một động lực quan trọng. Anh được truyền cảm hứng từ thầy giáo cũ, GS Peng Lianmao, làm việc tại Viện Hàn lâm Khoa học Trung Quốc.
Theo dõi Văn Hóa Sự Kiện trên
